Samsung начинает серийное производство самой современной памяти NAND 286-слойные 3D NAND флэш-чипы относятся к 9-му поколению 3D NAND технологии Samsung и обладают рекордной плотностью размещения ячеек памяти. По сравнению с предыдущим, 236-слойным поколением 3D NAND, в новых чипах плотность записи информации увеличена на 50%. Это позволило добиться повышения скорости записи и чтения данных на 33%. Кроме того, энергопотребление новых чипов снижено на 10%. Улучшение характеристик стало возможным благодаря переходу к вертикальной архитектуре размещения ячеек памяти, когда слои флэш-памяти укладываются один над другим внутри кристалла. Это позволяет разместить гораздо больше ячеек на той же площади кристалла.